許多應用都出現(xiàn)了采用更小 IGBT 模塊，將復雜設計轉移給產(chǎn)業(yè)鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000 V 至3300 V 交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）。

XHP™系列包括一款帶有一個發(fā)射極控制續(xù)流二極管的TRENCHSTOP™ IGBT4 450 A 半橋 IGBT 模塊，以及一款帶有發(fā)射極控制 E4二極管的450 A 二極管半橋模塊。這兩個模塊的絕緣電壓均提高至10.4 kV。這對組合有助于在不降低效率的情況下簡化并聯(lián)并且縮小尺寸。以前，并聯(lián)開關模塊需要復雜的母線，令設計工作變得復雜且會增加電感。XHP™系列采用了創(chuàng)新的設計，通過將模塊并排放置簡化了并聯(lián)操作，這也使得模塊在并聯(lián)時只需要一條直流母線即可實現(xiàn)。

4.5 kV XHP™系列還使得開發(fā)人員在設計過程中能夠減少元器件的使用數(shù)量。傳統(tǒng)的IGBT 解決3電平方案有多個單IGBT開關和一個半橋二極管，而使用新器件的設計只需要兩個半橋開關和一個更小的半橋二極管，這對驅(qū)動的集成化是一個重大的進步。

FF450R45T3E4_B5雙開關與DD450S45T3E4_B5雙二極管的組合可顯著節(jié)省成本并縮小占板面積。例如，英飛凌過去的IGBT解決方案需要四個140 x 190 mm2 或140 x 130 mm2 開關以及一個140 x 130 mm2 雙二極管。而全新的XHP™系列產(chǎn)品能夠?qū)⑺璧脑骷?shù)量減少到兩個140 x 100 mm2 雙開關和一個更小的140 x 100 mm2 雙二極管。